BSC014N03MS G
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC014N03MS G
- 商品编号
- C534286
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对 5V 驱动器应用（笔记本电脑、VGA、负载点电源）进行优化
- 适用于高频开关电源的低开关品质因数
- 经过 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）
- 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用
- 卓越的热阻性能
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品