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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC010N04LSI

适用于同步整流的OptiMOs功率MOSFET,集成肖特基二极管,低导通电阻,N沟道逻辑电平

商品型号
BSC010N04LSI
商品编号
C534280
商品封装
TDSON-8-EP(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))0.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)139W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)87nC
属性参数值
输入电容(Ciss)6.2nF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)1.9nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 针对同步整流进行优化
  • 集成单片肖特基类二极管
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 经过100%雪崩测试
  • N沟道、逻辑电平
  • 针对目标应用符合JEDEC标准
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249-2-21标准无卤
  • 由于源极互连增大,焊点可靠性更高

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流 - 直流转换器
  • 功率因数校正 (PFC) 电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF