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BSC016N04LS G
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道。 逻辑电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC016N04LS G
- 商品编号
- C534294
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 用于开关电源(SMPS)的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流(DC/DC)转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准,适用于目标应用
- N沟道
- 逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层;符合RoHS标准;根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤素