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BSC010NE2LSI
1个N沟道 耐压:25V 电流:100A
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC010NE2LSI
- 商品编号
- C534282
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
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