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BSC010NE2LSI
1个N沟道 耐压:25V 电流:100A
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC010NE2LSI
- 商品编号
- C534282
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 为高性能降压转换器优化
- 单片集成类肖特基二极管
- 极低导通电阻 R D S ( o n ) ~ @ ~ V G S = 4.5 ~ V
- 100%雪崩测试
- N沟道
- 针对目标应用符合JEDEC标准^1)
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器