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BSC004NE2LS5实物图
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BSC004NE2LS5

1个N沟道 耐压:25V 电流:479A

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描述
特性:针对或运算应用进行优化。 在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
商品型号
BSC004NE2LS5
商品编号
C534273
商品封装
TDSON-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)479A
导通电阻(RDS(on))0.45mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)188W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)135nC@4.5V
输入电容(Ciss)11nF@12.5V
反向传输电容(Crss)3.1nF@12.5V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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