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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC009NE2LS5

1个N沟道 耐压:25V 电流:100A

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描述
特性:针对高性能降压转换器进行优化。 在VGS ± 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
商品型号
BSC009NE2LS5
商品编号
C534276
商品封装
TDSON-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))0.9mΩ@4.5V,30A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)28nC
输入电容(Ciss)3.9nF@12V
反向传输电容(Crss)130pF@12V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 针对同步整流进行优化
  • 集成单片类肖特基二极管
  • 极低的导通状态下漏源电阻(RDS(on))
  • 100% 雪崩测试
  • N 沟道、逻辑电平
  • 针对目标应用符合 JEDEC 标准
  • 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
  • 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤
  • 由于源极互连增大,焊点可靠性更高

数据手册PDF