BSB015N04NX3 G
BSB015N04NX3 G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB015N04NX3 G
- 商品编号
- C534266
- 商品封装
- MG-DSON-2(4.9x6.3)mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF@20V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
OptiMOS™ 40V 产品是业界领先的功率 MOSFET，适用于实现高功率密度和高能效解决方案。在小尺寸封装中具备超低栅极电荷和输出电荷，以及极低的导通电阻，使 OptiMOS™ 40V 成为服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案严苛要求的理想之选。超快开关控制 FET 与低 EMI 同步 FET 相结合，提供易于设计的解决方案。OptiMOS™ 产品采用高性能封装，可应对最具挑战性的应用，在优化空间效率和成本方面提供充分的灵活性。OptiMOS™ 产品旨在满足并超越计算应用中下一代更严格的电压调节标准对能效和功率密度的要求。
商品特性
- 针对高开关频率 DC/DC 转换器进行优化
- 100% 雪崩测试
- 出色的栅极电荷与 RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 根据 JEDEC¹) 标准针对目标应用进行鉴定
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 低外形（<0.7 mm）
- 低寄生电感
- 双面散热
- 与 DirectX 封装 MX 焊盘尺寸和外形兼容
- 100% Rg 测试
应用领域
- 服务器板载电源-高性能计算电源管理-同步整流-高功率密度负载点转换器