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BSB165N15NZ3 G
1个N沟道 耐压:150V 电流:45A 电流:9A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB165N15NZ3 G
- 商品编号
- C534271
- 商品封装
- MG-DSON-2(4.9x6.3)mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@75V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
OptiMOS™ 150V 产品是业界领先的功率 MOSFET，适用于实现高功率密度和高能效解决方案。在小尺寸封装中具备超低栅极电荷和输出电荷，以及极低的导通电阻，使 OptiMOS™ 150V 成为太阳能、驱动器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案严苛要求的最佳选择。超快开关控制 FET 与低 EMI 同步 FET 相结合，提供易于设计的解决方案。OptiMOS™ 产品采用高性能封装，可应对最具挑战性的应用，在优化空间、效率和成本方面提供充分的灵活性。
商品特性
- 针对高开关频率 DC/DC 转换器进行优化
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的栅极电荷与 RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 双面散热
- 与 DirectFET 封装 MZ 的焊盘尺寸和外形兼容
- 低寄生电感
- 薄型（<0.7 mm）
应用领域
- 同步整流-初级侧开关-高性能计算的电源管理-高功率密度负载点转换器