BSB104N08NP3 G
BSB104N08NP3 G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB104N08NP3 G
- 商品编号
- C534270
- 商品封装
- MG-DSON-2(4.9x6.3)mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 专为 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)
- 超薄封装(<0.7mm)
- 双面散热
- 低寄生电感
- N 沟道、标准电平