BSB008NE2LX
BSB008NE2LX
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB008NE2LX
- 商品编号
- C534262
- 商品封装
- MG-DSON-2(4.9x6.3)mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 258nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3nF@12V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 针对电子保险丝和或门应用进行优化
- 在CanPAK-MX封装下具有超低导通电阻
- 低外形（<0.7 mm）
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻测试
- 双面散热
- 与DirectX封装MX的焊盘尺寸和外形兼容
- 针对目标应用通过JEDEC认证