BSB012NE2LXI
1个N沟道 耐压:25V 电流:170A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB012NE2LXI
- 商品编号
- C534263
- 商品封装
- MG-WDSON-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管(SyncFET)
- 集成单片肖特基类二极管
- 薄型封装(<0.7 mm)
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻(RG)测试
- 双面散热
- 与DirectX封装MX的焊盘尺寸和外形兼容
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准