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BGSX 24MU16 E6327
具有MIPIRFFE控制接口的DP4T天线交叉开关
- 描述
- BGSX24MU16RFCMOS开关专为多模LTE和WCDMA四重天线应用设计。该DP4T开关提供低插入损耗和低谐波生成。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGSX 24MU16 E6327
- 商品编号
- C534246
- 商品封装
- ULGA-16(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | 52dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 2.1dB | |
| 工作电压 | 1.65V~3.4V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BGSX24MU16射频CMOS开关专为LTE和WCDMA四天线应用而设计。这款双刀四掷（DP4T）开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。 该开关通过MIPI RFFE控制器进行控制。片上控制器支持1.65至1.95 V的电源电压。该开关具备直接连接电池的功能和无直流偏置的射频端口。与砷化镓（GaAs）技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部隔直电容。BGSX24MU16射频开关采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。该器件尺寸极小，仅为2.0×2.0 mm²，最大厚度为0.59 mm。
商品特性
- 高达36.5 dBm输入功率时具有高线性度
- 高达5.0 GHz频率范围内具有低插入损耗和高端口间隔离度
- 低电流消耗
- 符合MIPI RFFE 2.1标准的控制接口
- 软件和硬件可编程的唯一系统识别码（USID）
- 超薄无引脚塑料封装
- 符合RoHS和WEEE标准的封装
- 具备高达36.5 dBm功率处理能力的射频CMOS双刀四掷天线交叉开关
- 适用于多模式LTE和WCDMA四天线应用
- 低插入损耗和低谐波产生
- 覆盖0.1至5.0 GHz频率范围
- 高端口间隔离度
- 若射频线路上未施加直流电压，则无需隔直电容
- 集成工作在1.65至1.95 V电压范围的MIPI RFFE接口
- 软件可编程的MIPI RFFE USID
- 无引脚、无卤封装PG - ULGA - 16 - 1，横向尺寸为2.0 mm×2.0 mm，厚度为0.59 mm
- 无需电源去耦
- 高电磁干扰（EMI）鲁棒性
应用领域
- 用于蜂窝移动设备的双刀四掷天线路由/切换
- GSM/WCDMA/LTE功率放大器（PA）后置功率电平路由开关