BGSX 22GN10 E6327
BGSX 22GN10 E6327
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGSX 22GN10 E6327
- 商品编号
- C534245
- 商品封装
- DFN-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4375克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 采用全球领先的SiGe:C技术，可实现具备最低噪声系数、最高线性度和最低功耗的低噪声放大器（LNA）
- 采用自主研发的130 nm RFCMOS技术，可实现适用于复杂技术的开关，具备最小尺寸和最低插入损耗
- 采用两层引线框架封装，适用于复杂系统，设计灵活
- 持续投资未来技术，引领毫米波应用
- 拥有具备智能手机设计背景的内部系统专家团队
- 具备内部系统仿真能力
- 具备天线专业技术
- 天线辐射效率提高了二十倍
- 载波聚合可增加系统带宽，但需要硬件支持
- 凭借其直接映射和交叉端口功能，英飞凌的BGSX2xxMA18 MIPI控制开关支持高达4载波聚合（4CA）和多种不同频段组合
- 英飞凌具备直接映射功能的BGS15MA12可支持高达5载波聚合（5CA）
- 添加低噪声放大器通常可使系统信噪比提高3 dB，从而使数据速率提高多达80%
- 我们的高功率开关系列能够处理高达38 dBm的非常高的发射信号电平，同时表现出低损耗以节省电池电量。这些开关采用专有RF CMOS技术，将低损耗特性与高线性度相结合，适用于上行链路载波聚合
- 低噪声放大器复用模块（LMM）简化了射频前端设计，有助于减小尺寸、优化成本、提高系统性能、缩短产品上市时间
- LMM组件是下行链路载波聚合（DL - CA）和上行链路载波聚合（UL - CA）的理想选择
- 布线数量最多减少80%，且采用MIPI控制
- 尺寸最多减小50%
- 物料清单（BOM）成本最多节省60%