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BGSX 22G5A10 E6327
BGSX 22G5A10 E6327
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- 描述
- 专为LTE和WCDMA三天线应用而设计。此双刀双掷（DPDT）开关在射频端口间提供低插入损耗、低谐波生成和高隔离度。通过通用输入输出（GPIO）接口控制。片上控制器允许电源电压从1.65V到3.4V。具有直接连接到电池的功能和无直流（DC）的射频端口。与砷化镓（GaAs）技术不同，仅当在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流阻隔电容。采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统互补金属氧化物半导体（CMOS）的经济性和集成性，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。尺寸非常小，仅为1.1×1.5mm²，最大厚度为0.55mm。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGSX 22G5A10 E6327
- 商品编号
- C534244
- 商品封装
- QFN-10(1.1x1.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BGSX22G5A10射频MOS开关专为LTE和WCDMA三天线应用而设计。这款双刀双掷（DPDT）开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点，同时射频端口之间具备高隔离度。 该开关通过通用输入输出（GPIO）接口进行控制。片上控制器支持1.65V至3.4V的电源电压。该开关具备直接连接电池的功能以及无直流的射频端口。与砷化镓（GaAs）技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流隔直电容。BGSX22G5A10射频开关采用英飞凌（Infineon）的专利MOS技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。该器件尺寸极小，仅为1.1×1.5 mm²，最大厚度为0.55 mm。
商品特性
- 具备高达37 dBm功率处理能力的射频CMOS双刀双掷（DPDT）天线交叉开关
- 适用于多模式LTE和WCDMA多天线应用
- 超低插入损耗和低谐波产生
- 覆盖0.1至6.0 GHz频段
- 高端口间隔离度
- 若射频线路上未施加直流，则无需去耦电容
- 通用输入输出（GPIO）接口
- 小尺寸封装，1.1mm x 1.5mm
- 无需电源隔离
- 高电磁干扰（EMI）鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的封装