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BGS 12P2L6 E6327

高功率通用射频开关

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描述: BGS12P2L6是一款通用的高功率射频MOS开关，设计用于覆盖从0.05GHz到6GHz的高频应用，主要应用于GSM、WCDMA和LTE移动电话的发射路径。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BGS 12P2L6 E6327
商品编号: C534198
商品封装: XFDFN-6(0.7x1.1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.25克(g)

商品参数

商品概述

BGS12P2L6是一款通用射频MOS功率开关，设计用于覆盖0.05至6 GHz的广泛高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。该芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与砷化镓（GaAs）技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部隔直电容。BGS12P2L6射频开关采用英飞凌（Infineon）的专利MOS技术制造，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。该器件尺寸极小，仅为0.7×1.1 mm²，最大高度为0.31 mm。

商品特性

高达37 dBm输入功率的高线性度
低插入损耗和高达6 GHz的高端口间隔离度
低电流消耗
片上控制逻辑
超薄无引脚塑料封装
符合RoHS和WEEE标准的封装
具有高达37 dBm功率处理能力的射频CMOS单刀双掷（SPDT）天线开关
适用于多模式LTE和WCDMA应用
低插入损耗和低谐波产生
覆盖0.05至6 GHz
高端口间隔离度
若射频线路上未施加直流电压，则无需隔直电容
无引脚、无卤封装TSLP - 6 - 4，横向尺寸为0.7 mm x 1.1 mm，厚度为0.31 mm
无需电源去耦
高电磁干扰（EMI）鲁棒性

应用领域

GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	电路结构	单刀双掷
	频率	50MHz~6GHz
	隔离度	45dB

	属性	参数值
	插入损耗	0.74dB
	工作电压	1.65V~3.4V
	工作温度	-40℃~+85℃