BGS 12S3N6 E6327
超小封装宽带射频SPDT开关
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- 描述
- BGS12S3N6RFMOS开关专为WLAN和Bluetooth应用设计。它具有2个高线性度的TRx路径，最大处理能力可达30dBm，切换速度快，适用于WLAN和Bluetooth应用。所有端口均为全双工，具有低插入损耗和低谐波生成，高端口间隔离度，0.05至6GHz的覆盖范围，高ESD鲁棒性，片上控制逻辑，非常小巧的无引脚且无卤素封装TSNP-6-6(0.65x0.98mm2)，高度仅为0.375mm，无需在RF线上施加DC电压时不需要去耦电容，符合RoHS标准。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS 12S3N6 E6327
- 商品编号
- C534201
- 商品封装
- DFN-6(0.7x1.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | 45dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | - | |
| 工作电压 | 1.8V~3.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BGS12S3N6射频MOS开关专为WLAN和蓝牙应用而设计。任何一个端口都可以用作高达30 dBm的Diversity天线端接。该单电源芯片集成了由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动的片上CMOS逻辑。0.1 dB压缩点超过开关的最大输入功率电平，从而在所有信号电平下实现线性性能。该射频开关在1 GHz和2.5 GHz范围内具有非常低的插入损耗，分别为0.25 dB和0.29 dB。与GaAs技术不同，如果外部施加直流电压，则仅需要在射频端口使用外部直流阻断电容。BGS12S3N6射频开关采用Infineon的专利MOS技术制造，提供GaAs的性能，以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高ESD鲁棒性。该器件尺寸非常小，仅为0.65x0.98 mm²，最大高度为0.375 mm。
应用领域
- WLAN和蓝牙应用
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