BGS 16MA12 E6327
MIPI2.0SP6T射频开关,适用于LTE分集、发射和LAA应用
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- 描述
- 这款SP6T射频开关是基于LTE和WCDMA的多模手机的理想解决方案。它覆盖了LTETx功率和6GHz,适用于非常广泛的应用。它具有DC-freeRF端口,外部DC阻塞电容器仅在外部施加DC电压时需要。其内置MIPIRFFE2.0控制器完全符合行业标准。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS 16MA12 E6327
- 商品编号
- C534213
- 商品封装
- QFN-12-EP(1.1x1.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 100MHz~6GHz | |
| 隔离度 | 50dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1.45dB | |
| 工作电压 | 1.65V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
这款单刀六掷(SP6T)射频开关是基于长期演进(LTE)和宽带码分多址(WCDMA)的多模手机的理想解决方案。它具备出色的射频性能。超低插入损耗有助于客户实现高系统灵敏度,其对LTE发射功率和6 GHz频段的覆盖范围使其应用极为广泛。该开关的射频端口无需直流偏置,仅当外部施加直流电压时,才需要在射频端口外接隔直电容。其片上MIPI RFFE 2.0控制器完全符合行业标准。
商品特性
- 覆盖0.1至6 GHz频段,适用于LTE和授权辅助接入(LAA)应用
- 适用于LTE / WCDMA / TDCDMA应用
- 具备LTE发射功率处理能力
- 超低插入损耗:在42频段时为0.65 dB
- 小尺寸封装:1.1 mm x 1.9 mm
- 完全兼容MIPI 2.0 RFFE标准
- 无需去耦电容(除非在射频线路上施加直流电压)
- 低谐波产生
- 高端口间隔离度
- 片上控制逻辑包含静电放电(ESD)保护
- 无需电源隔离
- 高电磁干扰(EMI)鲁棒性
- 封装符合有害物质限制指令(RoHS)和废弃电气电子设备指令(WEEE)
应用领域
- 该SP6T开关是用于LTE应用的频段选择开关。
- 适用于LTE分集路径和LTE上行发射应用。
- 覆盖42频段、43频段和LAA频段。
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