BGSA 20GN10 E6327
BGSA 20GN10 E6327
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGSA 20GN10 E6327
- 商品编号
- C534236
- 商品封装
- TSNP-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 采用全球领先的SiGe:C技术,可实现具备最低噪声系数、最高线性度和最低功耗的低噪声放大器(LNA)
- 采用自主研发的130 nm RFCMOS技术,可实现适用于复杂技术的开关,具备最小尺寸和最低插入损耗
- 采用两层引线框架封装,适用于复杂系统,设计灵活
- 持续投资未来技术,引领毫米波应用
- 拥有具备智能手机设计背景的内部系统专家团队
- 具备内部系统仿真能力
- 具备天线专业技术
- 天线辐射效率提高了二十倍
- 载波聚合可增加系统带宽,但需要硬件支持
- 凭借其直接映射和交叉端口功能,英飞凌的BGSX2xxMA18 MIPI控制开关支持高达4载波聚合(4CA)和多种不同频段组合
- 英飞凌具备直接映射功能的BGS15MA12可支持高达5载波聚合(5CA)
- 添加低噪声放大器通常可使系统信噪比提高3 dB,从而使数据速率提高多达80%
- 我们的高功率开关系列能够处理高达38 dBm的非常高的发射信号电平,同时表现出低损耗以节省电池电量。这些开关采用专有RF CMOS技术,将低损耗特性与高线性度相结合,适用于上行链路载波聚合
- 低噪声放大器复用模块(LMM)简化了射频前端设计,有助于减小尺寸、优化成本、提高系统性能、缩短产品上市时间
- LMM组件是下行链路载波聚合(DL - CA)和上行链路载波聚合(UL - CA)的理想选择
- 布线数量最多减少80%,且采用MIPI控制
- 尺寸最多减小50%
- 物料清单(BOM)成本最多节省60%
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(7500个/圆盘,最小起订量 1770 个)个
起订量:1770 个7500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
其他推荐
- BGSA 20UGL8 E6327
- BGSA 20VGL8 E6327
- BGSA 402ML10 E6327
- BGSF 110GN26 E6327
- BGSX 22G2A10 E6327
- BGSX 22GN10 E6327
- BGSX 24MU16 E6327
- BGSX 33MU16 E6327
- BGSX 44MA12 E6327
- BGT 24ATR12 E6433
- BGT 24LTR11N16 E6327
- BGT 24LTR22 E6327
- BGT 24MTR11 E6327
- BGT 24MTR12 E6327
- BGT 80 E6327
- BSB008NE2LX
- BSB012NE2LXI
- BSB013NE2LXI
- BSB014N04LX3 G
- BSB015N04NX3 G
- BSB104N08NP3 G
