BGS 18MA14 E6327
支持MIPI2.0标准的3.8GHzLTE射频开关
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- 描述
- 此SP8T射频开关是基于LTE、WCDMA和TDCDMA的多模手机的理想解决方案。它覆盖了从0.1到3.8GHz的频段,支持LTETx功率和3.8GHz的应用。它具有无直流RF端口,外部直流阻塞电容器仅在外部施加直流电压时需要。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS 18MA14 E6327
- 商品编号
- C534217
- 商品封装
- QFN-14(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | 50dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | - | |
| 工作电压 | 1.7V~3.4V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
这款单刀八掷(SP8T)射频开关是基于 LTE、WCDMA 和 TDCDMA 的多模手机的理想解决方案。它具有出色的射频性能。超低插入损耗有助于客户实现高系统灵敏度,LTE 发射功率覆盖范围和 3.86 GHz 的频率范围使其应用十分广泛。其特点是射频端口无直流偏置,只有在外部施加直流电压时,才需要在射频端口使用外部隔直电容。
商品特性
- 覆盖 0.1 至 3.8 GHz,适用于高达 43 频段的 LTE 应用
- 适用于 LTE / WCDMA / TDCDMA 应用
- 具备 LTE 发射功率处理能力
- 超低插入损耗:41 频段为 0.5 dB,43 频段为 0.7 dB
- 小尺寸封装:2.0 mm × 2.0 mm
- 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准
- 无需去耦电容(除非在射频线路上施加直流电压)
- 低谐波产生
- 高端口间隔离度
- 片上控制逻辑,包括静电放电(ESD)保护
- 无需电源隔离
- 高电磁干扰(EMI)鲁棒性
- 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
应用领域
- 该 SP8T 开关是用于 LTE 应用的频段选择开关。
- 适用于 LTE 分集路径和 LTE 上行发射应用。
- 支持 42 频段和 43 频段。
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