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BGS 18MA12 E6327实物图
  • BGS 18MA12 E6327商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BGS 18MA12 E6327

BGS 18MA12 E6327

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描述
这一SP8T RF开关是基于LTE、WCDMA和TDCDMA的多模式手机的理想解决方案。具有出色的RF性能。超低插入损耗有助于客户实现高系统灵敏度,对LTE Tx功率和6 GHz的覆盖实现了非常广泛的应用。其特点是无直流RF端口,仅当外部施加直流电压时,才需要在RF端口使用外部直流阻隔电容。其片上MIPI RFFE 2.0控制器与行业标准完全兼容。
商品型号
BGS 18MA12 E6327
商品编号
C534216
商品封装
QFN-12(1.1x1.9)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录射频开关
频率100MHz~6GHz
隔离度47dB
属性参数值
插入损耗1.8dB
工作电压1.65V~1.95V
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

这款单刀八掷(SP8T)射频开关是基于 LTE、WCDMA 和 TDCDMA 的多模手机的理想解决方案。它具备出色的射频性能。超低插入损耗有助于客户实现高系统灵敏度,LTE 发射功率覆盖范围和 6 GHz 的频率范围使其应用极为广泛。其特点是射频端口无需直流供电,仅在外部施加直流电压时,才需要在射频端口使用外部隔直电容。其片上 MIPI RFFE 2.0 控制器完全符合行业标准。

商品特性

  • 覆盖 0.1 至 6 GHz,适用于 LTE 和 LAA 应用
  • 适用于 LTE / WCDMA / TDCDMA 应用
  • 具备 LTE 发射功率处理能力
  • 超低插入损耗:42 频段下为 0.78 dB
  • 小尺寸封装:1.1 mm x 1.9 mm
  • 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准
  • 若射频线路未施加直流电压,则无需去耦电容
  • 低谐波产生
  • 高端口间隔离度
  • 片上控制逻辑包含 ESD 保护
  • 无需电源隔离
  • 高电磁干扰(EMI)鲁棒性
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用领域

  • 该 SP8T 开关是 LTE 应用中的频段选择开关。
  • 适用于 LTE 分集路径和 LTE 上行发射应用。
  • 支持 42 频段、43 频段和 LAA。

数据手册PDF