BGS 18MA12 E6327
BGS 18MA12 E6327
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- 描述
- 这一SP8T RF开关是基于LTE、WCDMA和TDCDMA的多模式手机的理想解决方案。具有出色的RF性能。超低插入损耗有助于客户实现高系统灵敏度,对LTE Tx功率和6 GHz的覆盖实现了非常广泛的应用。其特点是无直流RF端口,仅当外部施加直流电压时,才需要在RF端口使用外部直流阻隔电容。其片上MIPI RFFE 2.0控制器与行业标准完全兼容。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS 18MA12 E6327
- 商品编号
- C534216
- 商品封装
- QFN-12(1.1x1.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 100MHz~6GHz | |
| 隔离度 | 47dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1.8dB | |
| 工作电压 | 1.65V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
这款单刀八掷(SP8T)射频开关是基于 LTE、WCDMA 和 TDCDMA 的多模手机的理想解决方案。它具备出色的射频性能。超低插入损耗有助于客户实现高系统灵敏度,LTE 发射功率覆盖范围和 6 GHz 的频率范围使其应用极为广泛。其特点是射频端口无需直流供电,仅在外部施加直流电压时,才需要在射频端口使用外部隔直电容。其片上 MIPI RFFE 2.0 控制器完全符合行业标准。
商品特性
- 覆盖 0.1 至 6 GHz,适用于 LTE 和 LAA 应用
- 适用于 LTE / WCDMA / TDCDMA 应用
- 具备 LTE 发射功率处理能力
- 超低插入损耗:42 频段下为 0.78 dB
- 小尺寸封装:1.1 mm x 1.9 mm
- 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准
- 若射频线路未施加直流电压,则无需去耦电容
- 低谐波产生
- 高端口间隔离度
- 片上控制逻辑包含 ESD 保护
- 无需电源隔离
- 高电磁干扰(EMI)鲁棒性
- 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
应用领域
- 该 SP8T 开关是 LTE 应用中的频段选择开关。
- 适用于 LTE 分集路径和 LTE 上行发射应用。
- 支持 42 频段、43 频段和 LAA。
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