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BGS 13S4N9 E6327

描述: RF MOS开关专为手机和移动应用设计。3个端口均可作为分集天线的端接，可处理高达30 dBm的功率。此SP3T在天线端口处具有低插入损耗和高抗干扰信号能力，在端接模式下谐波产生低。片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器，由1.35V至VDD的控制输入驱动。采用专利MOS技术制造，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。器件尺寸仅为1.1×1.1 mm²，最大高度为0.375 mm。在典型应用中，只要任何RF端口不施加直流，就不需要去耦电容。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BGS 13S4N9 E6327
商品编号: C534205
商品封装: DFN-9(1.1x1.1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

商品概述

BGS13S4N9射频MOS开关专为手机和移动应用而设计。三个端口中的任意一个都可用作分集天线的终端，可处理高达30 dBm的功率。这款单刀三掷（SP3T）开关插入损耗低，在天线端口对干扰信号具有高鲁棒性，且在终端模式下谐波产生少。片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器，由1.35 V至VDD的控制输入驱动。BGS13S4N9射频开关采用英飞凌（Infineon）的专利MOS技术制造，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。该器件尺寸极小，仅为1.1×1.1 mm²，最大高度为0.375 mm。在典型应用中，只要任何射频端口不施加直流电压，就无需解耦电容。

商品特性

3条高线性收发（TRx）路径，功率处理能力高达30 dBm
低插入损耗
低谐波产生
高端口间隔离度
适用于EDGE、CDMA2000、LTE、WCDMA应用
覆盖0.1至3.0 GHz
若射频线路上不施加直流电压，则无需解耦电容
片上控制逻辑，包括ESD保护
通用输入输出（GPIO）接口
小尺寸封装：1.1 mm×1.1 mm×0.375 mm
无需电源阻隔
高电磁干扰（EMI）鲁棒性
符合RoHS和WEEE标准的封装

应用领域

手机
移动应用

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	电路结构	单刀三掷
	频率	100MHz~3GHz
	隔离度	33dB

	属性	参数值
	插入损耗	0.65dB
	P1dB	34dBm
	工作电压	1.8V~3.3V
	工作温度	-40℃~+85℃