BGS 12WN6 E6327
BGS 12WN6 E6327
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- 描述
- RF CMOS开关专为无线局域网(WLAN)和蓝牙应用而设计。两个端口中的任何一个都可以用作分集天线的终端,处理高达26 dBm的功率。该芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与砷化镓(GaAs)技术不同,仅当外部施加直流电压时,才需要在射频端口使用外部直流隔直电容。采用专利MOS技术制造,兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度,包括固有的更高静电放电(ESD)鲁棒性。尺寸仅为0.7×1.1 mm²,最大高度为0.375 mm。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS 12WN6 E6327
- 商品编号
- C534203
- 商品封装
- DFN-6(0.7x1.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 50MHz~6GHz | |
| 隔离度 | 53dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.75dB | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BGS12WN6射频CMOS开关专为WLAN和蓝牙应用而设计。任意2个端口均可作为分集天线的终端,可处理高达26 dBm的功率。该芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与砷化镓(GaAs)技术不同,只有在外部施加直流电压时,才需要在射频端口使用外部直流隔直电容。BGS12WN6射频开关采用英飞凌(Infineon)的专利MOS技术制造,兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成度,包括固有的更高静电放电(ESD)鲁棒性。该器件尺寸极小,仅为0.7×1.1 mm²,最大高度为0.375 mm。
商品特性
- 高开关速度
- 高达26 dBm输入功率时具有高线性度
- 高达6 GHz频率下具有低插入损耗和高端口间隔离度
- 低电流消耗
- 片上控制逻辑
- 超薄无引脚塑料封装
- 符合RoHS和WEEE标准的封装
- 具有高达26 dBm功率处理能力的射频CMOS单刀双掷(SPDT)天线分集开关
- 适用于WLAN和蓝牙应用
- 低插入损耗和低谐波产生
- 覆盖0.05至6 GHz频率范围
- 若射频线路上未施加直流电压,则无需隔直电容
- 无引脚、无卤素封装PG - TSNP - 6 - 10 / - 8 / - 2,横向尺寸为0.7×1.1 mm²,最大高度为0.375 mm
- 无需电源去耦电容
- 高电磁干扰(EMI)鲁棒性
应用领域
- WLAN
- 蓝牙
优惠活动
购买数量
(12000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个12000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交13单
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