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BGS 12PL6 E6327

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描述: 通用射频MOS功率开关旨在覆盖30 MHz至4 GHz的广泛高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。单刀双掷配置的对称设计提供了高设计灵活性。该单电源芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单输入CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过了开关35 dBm的最大输入功率水平，在所有信号电平下都具有线性性能。射频开关插入损耗非常低。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BGS 12PL6 E6327
商品编号: C534199
商品封装: XFDFN-6(0.7x1.1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.068克(g)

商品参数

商品概述

BGS12PL6通用射频MOS功率开关旨在覆盖30 MHz至4 GHz的广泛高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。其单刀双掷配置的对称设计提供了高度的设计灵活性。这款单电源芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过了开关35 dBm的最大输入功率电平，从而在所有信号电平下都能实现线性性能。该射频开关在1 GHz时插入损耗极低，为0.36 dB；在2 GHz时为0.46 dB；在3 GHz时为0.6 dB。

商品特性

2条高线性收发信机路径，功率处理能力高达35 dBm
所有端口完全对称
低插入损耗
低谐波产生
高端口间隔离度
覆盖30 MHz至4 GHz
高静电放电耐受性
片上控制逻辑
采用超小无铅无卤封装TSLP - 6 - 4（0.7x1.1mm²），高度仅0.31 mm
若射频线路上无直流偏置，则无需去耦电容
符合RoHS标准的封装

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	电路结构	单刀双掷
	频率	30MHz~4GHz
	隔离度	50dB

	属性	参数值
	插入损耗	1.15dB
	工作电压	2.4V~3.6V
	工作温度	-40℃~+85℃