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AUIRF7103QTR
2个N沟道 耐压:50V 电流:3A
- 描述
- 专门为汽车应用设计，这种蜂窝式设计的功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻。结合快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于汽车和各种其他应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7103QTR
- 商品编号
- C533274
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该HEXFET功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用而定制，采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，适用于汽车及众多其他应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在结温最大值(Tjmax)下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证