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AUIRF3205
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
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- 描述
- 这款专为汽车应用设计的HEXFET®功率MOSFET条形平面设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及多种其他应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF3205
- 商品编号
- C533246
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.247nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款专为汽车应用设计的条形平面结构 HEXFET 功率 MOSFET,采用最新的加工技术,实现了单位硅片面积的低导通电阻。结合 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固的器件设计,该优势为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于汽车及其他各种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 动态 dV/dT 额定值
- 175°C 工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定值
- 允许在最高结温 Tjmax 下进行重复雪崩
- 无铅,符合 RoHS 标准
- 通过汽车级认证*