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SSC8164GS6
参数完善中
该器件为N沟道增强型MOSFET,采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造。此器件特别适用于低电压应用,尤其适用于电池供电电路,其小巧纤薄的外形可节省PCB用量。
-负载开关-便携式设备-DC-DC转换
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