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SSC8428GN2
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽工艺技术，具有超低导通电阻和高功率电流处理能力
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8428GN2
- 商品编号
- C52387578
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
-先进沟槽工艺技术。-采用高密度单元设计,实现超低导通电阻。-具备高功率和大电流处理能力。-雪崩电压和电流特性完全表征。
应用领域
-负载开关-锂离子电池保护