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SSC8028GT8
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8028GT8
- 商品编号
- C52387580
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4694克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 106A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
该器件为N沟道增强型MOSFET,采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻(RDSON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路,经过100%的非钳位感性开关(UIS)、动态漏源电压(DVDS)和栅极电阻(Rg)测试。
应用领域
-DC/DC转换器-电源-电机驱动控制-同步整流