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SSC80211GN4
P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC80211GN4
- 商品编号
- C52387569
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16978克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 376pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
这款SSC80211GN4采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDSON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,以及其他多种应用。
商品特性
- 经过100%非钳位感性负载(UIS)+ 漏源电压变化(ΔVDS)+ 栅极电阻(Rg)测试!
应用领域
- 负载开关
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 电源管理