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SSC8239GT8

P沟道增强型MOSFET,采用先进沟槽技术,适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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品牌名称
AF(晶岳)
商品型号
SSC8239GT8
商品编号
C52387564
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.47712克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)94A
导通电阻(RDS(on))5.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)74nC
属性参数值
输入电容(Ciss)4.56nF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)530pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

该器件为P沟道增强型MOSFET。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻(RDSON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。

应用领域

-DC/DC转换器-电源-电机驱动控制-同步整流

数据手册PDF

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