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SSC8038GN4

N沟道增强型MOSFET,采用先进沟槽技术,适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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品牌名称
AF(晶岳)
商品型号
SSC8038GN4
商品编号
C52387568
商品封装
PDFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.11048克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)17.5W
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)18nC
属性参数值
输入电容(Ciss)898pF
反向传输电容(Crss)149pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)165pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

该器件为N沟道增强型MOSFET。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDSON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。

商品特性

  • 采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDSON)

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 电源
  • 电机驱动控制
  • 同步整流

数据手册PDF

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