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CSD97395Q4M

同步降压NexFET功率级

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描述: CSD97395Q4M CSD97395Q4M 高频同步降压 NexFET™ 功率级
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CSD97395Q4M
商品编号: C524792
商品封装: VSON-8-EP(3.5x4.5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.08克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	-
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.65V
	输入低电平(VIL)	600mV
	静态电流(Iq)	1uA
	功能特性	使能关断；内置自举二极管

商品概述

CSD97395Q4M NexFET功率级经过高度优化设计，适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动器集成电路和NexFET技术，实现完善的功率级开关功能。驱动器IC内置可选二极管仿真功能，可启用断续传导模式运行，提升轻负载效率；支持超低静态电流模式，支持联网待机功能。借助三态PWM输入，静态电流可减少至130μA，并支持立即响应，当SKIP#保持在三态时，电流可减少至8μA，恢复切换通常需要20μs。该器件在小型3.5mm×4.5mm外形尺寸封装中，实现了高电流、高效和高速开关功能，经过优化的印刷电路板封装可帮助减少设计时间，简化总体系统设计。

商品特性

15A电流下超过92%的系统效率
最大额定持续电流25A，峰值60A
支持高频运行，频率高达2MHz
高密度设计，采用3.5mm × 4.5mm小外形尺寸无引线封装
超低电感封装
系统优化的PCB封装
超低静态电流模式
与3.3V和5V脉宽调制PWM信号兼容
支持强制连续传导模式FCCM的二极管仿真模式
输入电压高达24V
带有三态PWM输入
集成引导加载二极管
具备击穿保护功能
具备欠压锁定保护功能
符合RoHS绿色环保标准，无铅引脚镀层
无卤素

应用领域

超级本/笔记本DC/DC转换器
多相Vcore和DDR解决方案
网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	-