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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V,1.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 全新的Micro8封装，其占位面积仅为标准SO - 8封装的一半，是SOIC外形中占位面积最小的封装。这使得Micro8成为印刷电路板空间宝贵的应用场景的理想器件。Micro8的低外形高度（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。
商品特性
- 超低导通电阻
- 超小SOIC封装
- 低外形高度（<1.1mm）
- 提供卷带包装
- 快速开关
- 无铅