温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFB5620PBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFB5620PBF
- 商品编号
- C520672
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 144W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 针对D类音频放大器应用优化关键参数
- 低 RDS(ON),提高效率
- 低 QG 和 QSW,改善总谐波失真(THD)并提高效率
- 低 QRR,改善总谐波失真(THD)并降低电磁干扰(EMI)
- 175°C工作结温,增强耐用性
- 在半桥配置放大器中,每通道可向8Ω负载提供高达300W的功率