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IRF6645TRPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:5.7A
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- 描述
- IRF6645PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有Micro8封装尺寸且高度仅为0.7毫米的封装中实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，将以往的最佳热阻降低80%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6645TRPBF
- 商品编号
- C520646
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,5.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
IRF6645PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有Micro8封装尺寸且厚度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何形状、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，将此前最佳的热阻降低80%。 IRF6645PbF针对隔离式DC - DC应用中的初级侧桥拓扑、宽范围通用输入电信应用（36V - 75V）以及稳压DC - DC拓扑中的次级侧同步整流进行了优化。该器件的总损耗降低，同时具备高水平的热性能，可实现高效率和低温度，这对于提高系统可靠性至关重要，使其成为高性能隔离式DC - DC转换器的理想选择。
商品特性
- 符合RoHS标准，无卤
- 无铅（可承受高达260°C的回流焊）
- 特定应用MOSFET
- 适用于高性能隔离式转换器初级开关插座
- 针对同步整流进行优化
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 薄型（<0.7mm）
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
应用领域
- 高性能隔离式转换器初级开关插座
- 同步整流
- 隔离式DC - DC应用
- 宽范围通用输入电信应用（36V - 75V）
- 稳压DC - DC拓扑
- 高性能隔离式DC - DC转换器