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IRF630NSTRLPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:9.3A
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- 描述
- 第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。TO-220封装在功率耗散水平约为50瓦的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF630NSTRLPBF
- 商品编号
- C520651
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.656克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V,5.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 82W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。 TO - 220封装普遍适用于功率耗散水平约达50瓦的所有商业 - 工业应用。TO - 220的低热阻和低成本封装特性促使其在整个行业得到广泛认可。 D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。D²Pak因其内部连接电阻低，适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本（IRF630NL）适用于薄型应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 易于并联
- 简单的驱动要求
- 无铅