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DON50N10-TL
N沟道MOSFET，具备低栅极电荷和低导通电阻
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- 描述
- SGT工艺/N管/100V/50A/14mΩ/(典型11mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON50N10-TL
- 商品编号
- C50386318
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 312pF |
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