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DOM45DN03实物图
  • DOM45DN03商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOM45DN03

双N沟道MOSFET,低栅极电荷,先进沟槽技术

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描述
N+N管/30V/45A/8mΩ/(典型6.2mΩ)
商品型号
DOM45DN03
商品编号
C50386326
商品封装
DFN5x6AsymDual​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))6.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)15W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13.3nC@10V
输入电容(Ciss)1.12nF
反向传输电容(Crss)151pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)286pF

商品特性

  • VDS = 30 V,ID = 45 A,RDS(ON) < 8 m Ω(在 VGS = 10 V 时,典型值为 6.2 m Ω)
  • 低栅极电荷。
  • 提供环保型器件。
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)。
  • 封装散热性能出色。
  • 湿敏等级3级(MSL3)

应用领域

  • 便携式设备充电开关
  • 小型无刷直流电机驱动
  • 便携式设备负载开关
  • 直流 - 直流转换器
  • 电源管理功能

数据手册PDF