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DOM45DN03
双N沟道MOSFET，低栅极电荷，先进沟槽技术
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- 描述
- N+N管/30V/45A/8mΩ/(典型6.2mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOM45DN03
- 商品编号
- C50386326
- 商品封装
- DFN5x6AsymDual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
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(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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