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STS5NF60L-DO
N沟道MOSFET具备低栅极电荷和低导通电阻
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- 描述
- N管/60V/6A/36mΩ/(典型27mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- STS5NF60L-DO
- 商品编号
- C50386331
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- VDS = 60 V, ID = 6 A, RDS(ON) < 36 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:27mΩ)
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。
应用领域
-功率开关-DC/DC转换器