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CPH6339-TL-E-VB实物图
  • CPH6339-TL-E-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

CPH6339-TL-E-VB

P沟道；电压：-60V；电流：-3.5A；导通电阻：75(mΩ)

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描述
特性：无卤（根据IEC 61249-2-21标准）。 沟槽功率MOSFET。应用：负载开关
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
CPH6339-TL-E-VB
商品编号
C50386982
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.052克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V；85mΩ@4.5V
栅极电荷量(Qg)10nC@10V；5.1nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)1nF
反向传输电容(Crss)63pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)80pF

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