温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCMT125N65S3-VB
N沟道；电压：650V；电流：20A；导通电阻：160(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低品质因数 (FOM) Ron × Qg。低输入电容 (Cus)。降低开关和传导损耗。超低栅极电荷 (Qg)。雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FCMT125N65S3-VB
- 商品编号
- C50386998
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 功率因数校正电源(PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
相似推荐
其他推荐
- FCMT180N65S3-VB
- FCMT199N60-VB
- FDC6302P-VB
- FDC6304P-VB
- FDN5618P-B8-VB
- FDS4559-F085-VB
- HAT3008RJ-VB
- IPL60R065C7AUMA1-VB
- IPL60R075CFD7AUMA1-VB
- IPL60R095CFD7AUMA1-VB
- IPL60R104C7AUMA1-VB
- IPL65R065CFD7AUMA1-VB
- IPL65R070C7AUMA1-VB
- IPL65R099C7-VB
- IPL65R099C7AUMA1-VB
- IPL65R115CFD7AUMA1-VB
- IPL65R130C7AUMA1-VB
- IPL65R165CFDAUMA1-VB
- IPL65R165CFDAUMA2-VB
- IPW60R099C7XKSA1-VB
- IPW60R125CFD7XKSA1-VB