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IPL65R099C7-VB
N沟道；电压：650V；电流：20A；导通电阻：160(mΩ)
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- 描述
- 特性：低品质因数 (FOM) R(on) × Qg。低输入电容 (Cus)。降低开关和传导损耗。超低栅极电荷 (Qg)。雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPL65R099C7-VB
- 商品编号
- C50387012
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
优惠活动
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