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IRFPF50PBF-VB实物图
  • IRFPF50PBF-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFPF50PBF-VB

N沟道；电压：950V；电流：6A；导通电阻：2400(mΩ)

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描述
特性：动态dV/dt额定值。重复雪崩额定值。隔离式中央安装孔。快速开关。易于并联。简单的驱动要求。符合RoHS指令2002/95/EC
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFPF50PBF-VB
商品编号
C50387023
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)6.1A
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
耗散功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)190nC@10V
输入电容(Ciss)2.8nF
反向传输电容(Crss)84pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)250pF

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