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SI2309CDS-T1-BE3-VB实物图
  • SI2309CDS-T1-BE3-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI2309CDS-T1-BE3-VB

P沟道；电压：-60V；电流：-5.2A；导通电阻：50(mΩ)

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描述
特性：隔离封装。高压隔离 = 2.5 kVRMS (t = 60 s, f = 60 Hz)。漏极到引脚爬电距离 = 4.8 mm。P沟道。工作温度175℃。动态dV/dt额定值。低热阻。无铅可用
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI2309CDS-T1-BE3-VB
商品编号
C50387036
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5.2A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
耗散功率(Pd)27W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)270pF
反向传输电容(Crss)31pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)170pF

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