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VBP195R06
N沟道；电压：950V；电流：6A；导通电阻：2400(mΩ)
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- 描述
- 特性：动态dV/dt额定值。重复雪崩额定值。隔离中央安装孔。快速开关。易于并联。简单的驱动要求。符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP195R06
- 商品编号
- C50387050
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
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