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2SK3366-Z-E1-AZ-VB
N沟道；电压：30V；电流：70A；导通电阻：7(mΩ)
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- 描述
- 特性：沟槽功率MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2011/65/EU。应用：OR-ing。 服务器
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK3366-Z-E1-AZ-VB
- 商品编号
- C50387056
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V；25nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 525pF |
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