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VBQE165R20SE
N沟道；电压：650V；电流：20A；导通电阻：150(mΩ)
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- 描述
- 特性：低品质因数（FOM）Ron × Qg。 低输入电容（Ciss）。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷（Qg）。 雪崩能量额定（UIS）。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源（SMPS）
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQE165R20SE
- 商品编号
- C50387051
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
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