VBQE165R20SE
N沟道;电压:650V;电流:20A;导通电阻:150(mΩ)
- 描述
- 特性:低品质因数(FOM)Ron × Qg。 低输入电容(Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷(Qg)。 雪崩能量额定(UIS)。应用:服务器和电信电源。 开关模式电源(SMPS)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQE165R20SE
- 商品编号
- C50387051
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 功率因数校正电源(PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- VBZP20N50S
- ZXMC4559DN8TC-VB
- ZXMC4A16DN8TA-VB
- 2SK2135-VB
- 2SK3366-Z-E1-AZ-VB
- 2SK3377-ZK-VB
- 2SK3386-Z-VB
- 2SK3991-ZK-VB
- CPS610DSD001DH03
- HC12095-16Ω-2048Hz
- HC12095-42Ω-2048Hz
- HC12085-16Ω-2048Hz-3.7MM
- HC12085-42Ω-2048Hz-3.7MM
- SMD8530H-16Ω
- SMD7525-32Ω
- SMD9045-16Ω
- SMD8540-16Ω
- SMD8540H-16Ω
- TMB9650-DC5V-CF
- TMB9650-DC5V-DF
- HC6035-16Ω


