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ZXMC4559DN8TC-VB
N+P沟道；电压：±60V；电流：5.3/-4.9A；导通电阻：26/55(mΩ)
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- 描述
- 特性：符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品。 沟槽功率 MOSFET。 100% 进行 Rg 和 UIE 测试。应用：CCFL 逆变器
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZXMC4559DN8TC-VB
- 商品编号
- C50387053
- 商品封装
- SOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A；4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；3.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V；6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF；650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF；60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF；75pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤产品
应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器
- N 沟道 MOSFET
- P 沟道 MOSFET
- ZXMC4A16DN8TA-VB
- 2SK2135-VB
- 2SK3366-Z-E1-AZ-VB
- 2SK3377-ZK-VB
- 2SK3386-Z-VB
- 2SK3991-ZK-VB
- CPS610DSD001DH03
- HC12095-16Ω-2048Hz
- HC12095-42Ω-2048Hz
- HC12085-16Ω-2048Hz-3.7MM
- HC12085-42Ω-2048Hz-3.7MM
- SMD8530H-16Ω
- SMD7525-32Ω
- SMD9045-16Ω
- SMD8540-16Ω
- SMD8540H-16Ω
- TMB9650-DC5V-CF
- TMB9650-DC5V-DF
- HC6035-16Ω
- HC9055-5.5Ω
- HC9650-5.5Ω-CF