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UPA2793GR-VB
N+P沟道；电压：±60V；电流：5.3/-4.9A；导通电阻：26/55(mΩ)
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 沟槽功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：电机驱动。 移动电源
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UPA2793GR-VB
- 商品编号
- C50387048
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V；18mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V；6.2nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 620pF；510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF；37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF；95pF |
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