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SPW24N60C3-VB
N沟道；电压：600V；电流：20A；导通电阻：160(mΩ)
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- 描述
- 特性：低品质因数 (FOM) Ron × Qg。低输入电容 (Ciss)。降低开关和传导损耗。超低栅极电荷 (Qg)。雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SPW24N60C3-VB
- 商品编号
- C50387039
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
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